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Single crystal ReSxSe2(1-x) alloy rystals are developed at our facilities using chemical vapor transport or flux zone technique methods.

1．將單層硫化鉬轉(zhuǎn)移至襯底（襯底可根據(jù)客戶需求選定）$n2．邊長15um （三角形）片內(nèi)層數(shù)均勻$n3．襯底上轉(zhuǎn)移3個（數(shù)量可定制）帶電極的單層硫化鉬樣品$n4．電極間距：~5um

CVD石墨烯CVD六方氮化硼異質(zhì)結(jié) 石墨烯/h-BN薄膜的性質(zhì)： 單層h-BN薄膜上的單層石墨烯薄膜轉(zhuǎn)移到285nm（p摻雜）SiO2/Si晶片上 尺寸：1cmx1cm; 4片裝 每個薄膜的厚度和質(zhì)量由拉曼光譜控制 該產(chǎn)品的覆蓋率約為98％ 薄膜是連續(xù)的，有小孔和有機殘留物 高結(jié)晶質(zhì)量 石墨烯薄膜預(yù)先單層（超過95％），偶爾有少量多層（雙層小于5％） 薄層電阻：430-800Ω/平方

World's largest size h-BN crystals are available! Our h-BN crystals now measure 5-6 mm in size much comparable to other traditional layered crystals. After 3 years of research and engineering

六方氮化硼晶體20片裝 hBN(Hexagonal Boron Nitride)-Crystal 晶體尺寸：~1mm 電學(xué)性能：絕緣體/半導(dǎo)體 晶體結(jié)構(gòu)：六邊形 晶胞參數(shù)：a = b = 0.2502 nm, c = 0.6617 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類型：合成 晶體純度：

高純度黑磷晶體 Black Phosphorus-Crystal 晶體結(jié)構(gòu)：正斜方晶結(jié)構(gòu)晶體尺寸：~10mm 電學(xué)性能：半導(dǎo)體 晶體結(jié)構(gòu)：斜方晶系 晶胞參數(shù)：a = 0.331 nm, b= 1.048, c = 0.437 nm, α = β = γ = 90° 晶體類型：合成 晶體純度：99.995% 性質(zhì)：半導(dǎo)體