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二硫化錫晶體 2H-SnS2(Tin Sulfide) 晶體尺寸：~8毫米 電學性能：半導體（~ 2.2ev） 晶體結(jié)構(gòu)：六邊形 晶胞參數(shù)：a = b = 0.364, c = 0.589 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995%

二硫化鉭晶體(1T) TaS2(Tantalum Sulfide) -1T 晶體尺寸：~8毫米 電學性能：半導體，電荷密度波（CDW），Mott相 晶體結(jié)構(gòu)：六邊形 晶胞參數(shù)：a = b = 0.336 nm, c = 0.590 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995%

二硫化鉭晶體(2H) TaS2(Tantalum Sulfide) -2H 晶體尺寸：~10毫米 電學性能：Metal, Charge density waves (CDW) system below ~75K, Superconductor with Tc ~1K 金屬、電荷密度波(CDW) 晶體結(jié)構(gòu)：六邊形 晶胞參數(shù)：a = b = 0.331 nm, c =

二硫化鈦晶體 TiS2(Tantalum Sulfide) 晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶體尺寸:~10毫米 電學性能：半金屬，逆磁性 晶體結(jié)構(gòu)：六邊形 晶胞參數(shù)：a = b = 0.340 nm, c = 0.570 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995%

二硫化鎢晶體 2H-WS2(Tungsten Disulfide) 晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶體尺寸：~10毫米 電學性能：N型半導體 晶體結(jié)構(gòu)：六邊形 晶胞參數(shù)：a = b = 0.315 nm, c = 1.227 nm, α = β = 90, γ = 120° 晶體類型：合成

Rhenium atoms perfectly incorporated into MoS? matrix. These alloys are not phase separated meaning Mo and Re atoms randomly distributed throughout the crystals. Re composition varies from slim amount