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二硫化鉬晶體(2H-合成/99.995%/p 型) MoS2(Molybdenum Disulfide)-syn$n晶體尺寸:~10毫米$n電學(xué)性能:P型半導(dǎo)體$n晶體結(jié)構(gòu):六邊形$n晶胞參數(shù):a = b = 0.315 nm, c = 1.229 nm, α = β = 90°, γ = 120°$n晶體類(lèi)型:合成$n晶體純度:>99.995%
二硫化鎢鉬晶體 MoWS2(Molybdenum Tungsten Disulfide alloy) 晶體尺寸:~6毫米 電學(xué)性能:半導(dǎo)體 晶體結(jié)構(gòu):六邊形 晶胞參數(shù):取決于合金成分:a = b = 0.31 -0.33 nm and c = 1.21 -1.29 nm, α = β = 90°, γ =120° 晶體類(lèi)型:合成 晶體純度:>99.995%
二硫化錸晶體 ReS2 (Rhenium Disulfide) 晶體結(jié)構(gòu):三斜晶晶體尺寸:~8毫米 電學(xué)性能:N型半導(dǎo)體 晶體結(jié)構(gòu):三斜晶系 晶胞參數(shù):a = 0.634, b = 0.640 nm, c = 0.645 nm, α = 106.74°, β = 119.03°, γ = 89.97° 晶體類(lèi)型:合成 晶體純度:>99.995%
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