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碲化砷 As2Te3

簡要描述：晶體尺寸：10毫米
電學性能：半導體，拓撲絕緣體，熱電材料
晶體結(jié)構(gòu)：單斜晶結(jié)構(gòu)
晶胞參數(shù)：a = 1.430nm，B = 0.403nm，C = 0.986nm，α=γ= 90°，β= 95.40
晶體類型：合成
晶體純度：＞99.995%
表征方法：XRD、拉曼、EDX

  • 更新時間：2024-06-03
  • 產(chǎn)品型號：
  • 廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
  • 訪  問  量：874

詳細介紹

晶體尺寸：10毫米
電學性能：半導體，拓撲絕緣體，熱電材料
晶體結(jié)構(gòu)：單斜晶結(jié)構(gòu)
晶胞參數(shù)：a = 1.430nm，B = 0.403nm，C = 0.986nm，α=γ= 90°，β= 95.40
晶體類型：合成
晶體純度：＞99.995%
表征方法：XRD、拉曼、EDX


Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal As2Te3. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.


Stoichiometric analysis of a single crystal As2Te3 by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).


Raman spectrum of a single crystal As2Te3. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.


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