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材料簡介： 三維石墨烯網(wǎng)絡(luò)是在泡沫金屬基底上通過化學(xué)氣相沉積高溫生長石墨烯薄膜層，借助泡沫基底的三維多孔骨架，生長成石墨烯的三維網(wǎng)絡(luò)。三維石墨烯具有體表面積大，導(dǎo)電性佳，質(zhì)量輕等特點(diǎn)。 應(yīng)用領(lǐng)域： 1）適用于超級(jí)電容、鋰離子電池、鋁電池、納電池等電化學(xué)能源存儲(chǔ)器件。 2）適用于化學(xué)傳感器、氣體傳感器領(lǐng)域。 尺寸：2*2cm

The 3D Graphene Foam is deposited comformably onto Nickel foam foils by chemical vapor deposition (CVD) process. Nickel (Ni) foams were created by acid reaction at high temperatures,

CVD Graphene sheets have been deposited onto 50 micron thick Cu foils using modified chemical vapor technique. In our method, we have paid close attention to engineering defect density

基于SiO2/Si晶片的雙層CVD石墨烯薄膜 將兩層單層CVD石墨烯膜轉(zhuǎn)移 到285nm p摻雜的SiO 2 / Si晶片上 尺寸：1cmx1cm; 4片 將每個(gè)石墨烯膜連續(xù)轉(zhuǎn)移到晶片上 我們的石墨烯薄膜的厚度和質(zhì)量由拉曼光譜控制 該產(chǎn)品的石墨烯覆蓋率約為98％ 石墨烯薄膜是連續(xù)的，具有小孔和有機(jī)殘留物 每個(gè)石墨烯薄膜主要是單層（超過95％），偶爾有少量多層（低于5％的雙層） 由于沒有A-B堆疊

基于SiO2/Si晶片的雙層CVD石墨烯薄膜 將兩層單層CVD石墨烯膜轉(zhuǎn)移 到285nm p摻雜的SiO 2 / Si晶片上 尺寸：1cmx1cm; 8片 將每個(gè)石墨烯膜連續(xù)轉(zhuǎn)移到晶片上 我們的石墨烯薄膜的厚度和質(zhì)量由拉曼光譜控制 該產(chǎn)品的石墨烯覆蓋率約為98％ 石墨烯薄膜是連續(xù)的，具有小孔和有機(jī)殘留物 每個(gè)石墨烯薄膜主要是單層（超過95％），偶爾有少量多層（低于5％的雙層） 由于沒有A-B堆疊

高定向熱解石墨 HOPG-ZYA-2mm 最高質(zhì)量 晶體尺寸：橫向~12mm，厚度2mm 電學(xué)性能：金屬 晶體結(jié)構(gòu)：六邊形 晶胞參數(shù)：a = b =0.246, c = 0.667 nm, α = β = 90°, γ =120° 晶體類型：合成 晶體純度：99.995% 旋 轉(zhuǎn) 角：0.4° +/- 0.1°