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  • 單層氧化石墨烯(H法/進(jìn)口)

    單層氧化石墨烯(H法/進(jìn)口) Single Layer Graphene Oxide (H Method) 制備方法:改良的H法 直徑:1~5um 厚度:0.8~1.2nm 單層比:99% 純度:99% 堆積密度:0.44g/cm3 體積密度:為0.26g/cm3

    更新時間:2024-06-04
    產(chǎn)品價格:3515.2
    廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
    訪問次數(shù):806
  • 氧化石墨烯(S法/進(jìn)口)-2

    氧化石墨烯(S法/進(jìn)口) Graphene Oxide (S Method) 制備方法:斯托登梅爾方法 外觀為灰綠色粉末 直徑:1~5um 厚度:0.8~1.2nm 比表面積(SSA)5-10平方米/克 單層比:>90% 氧含量:~35 wt% 堆積密度:0.013g/cm3 體積密度:0.008g/cm3 XPS評估結(jié)果(元素重量比) C1s: 65.71% N1S: 0.5% O1s: 33.

    更新時間:2024-06-04
    產(chǎn)品價格:7689.5
    廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
    訪問次數(shù):707
  • 氧化石墨烯(S法/進(jìn)口)

    氧化石墨烯(S法/進(jìn)口) Graphene Oxide (S Method) 制備方法:斯托登梅爾方法 外觀為灰綠色粉末 直徑:1~5um 厚度:0.8~1.2nm 比表面積(SSA)5-10平方米/克 單層比:>90% 氧含量:~35 wt% 堆積密度:0.013g/cm3 體積密度:0.008g/cm3 XPS評估結(jié)果(元素重量比) C1s: 65.71% N1S: 0.5% O1s: 33.

    更新時間:2024-06-04
    產(chǎn)品價格:61516
    廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
    訪問次數(shù):860
  • 氧化石墨烯(美國)

    Semiconductor analog of graphene: Graphene oxide has been synthesized at our R&D facilities using modified reaction Hummer technique. Growth technique emphasizes on minimizing the defect density

    更新時間:2024-06-04
    產(chǎn)品價格:6481.15
    廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
    訪問次數(shù):823
  • 羧基石墨烯(美國)

    Carboxyl (-COOH) functionalized graphene has been developed at our facilities. Can be deposited on various substrates either by conventional mechanical exfoliation or spin coating in the solution form

    更新時間:2024-06-04
    產(chǎn)品價格:6371.3
    廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
    訪問次數(shù):649
  • 氟化石墨烯(美國)

    Graphene fluoride has been developed our facilities. Carbon to Fluoride ratio is 1:1 and the particle size ranges from 1-15 microns. Electrical resistivity is 1E11-1E12 Ohm.cm.

    更新時間:2024-06-04
    產(chǎn)品價格:6371.3
    廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
    訪問次數(shù):777
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