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SbTe antimony telluride is a layered phase change material with exciting optical driven phase change properties. This vdW crystal exhibit rather unique crystalline properties (see atomic view images).

硒化鉍晶體 Bi2Se3(Bismuth Selenide) 晶體尺寸：10毫米 電學(xué)性能：拓?fù)浣^緣體 晶體結(jié)構(gòu)：菱面體 晶胞參數(shù)：a = b = 0.413, c = 2.856 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995%

硒化鎵晶體 2H-GaSe(Gallium Selenide) 晶體尺寸：10毫米 電學(xué)性能：半導(dǎo)體 晶體結(jié)構(gòu)：六邊形 晶胞參數(shù)：a = b = 0.374 nm, c = 1.592 nm, α = β = 90°, γ =120° 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995%

硒化鍺晶體 GeSe (Germanium Selenide) 晶體尺寸：~10毫米 電學(xué)性能：半導(dǎo)體 晶體結(jié)構(gòu)：斜方晶系 晶胞參數(shù)：a = 0.383 nm, b = 0.440 nm, c = 1.078 nm, α = β = γ = 90° 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995%

二硒化鉿晶體 HfSe2(Hafnium Selenide) 晶體尺寸：~10毫米 電學(xué)性能：半導(dǎo)體 晶體結(jié)構(gòu)：六邊形 晶胞參數(shù)：a = b = 0.3745 nm, c = 0.6160 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995%

硒化銦晶體 In2Se3(Indium Selenide) 晶體尺寸：8-10毫米 電學(xué)性能：半導(dǎo)體 晶體結(jié)構(gòu)：六邊形 晶胞參數(shù)：a = b = 0.398 nm, c = 18.89 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995%