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  • 基于SiO2/Si晶片的雙層CVD石墨烯薄膜

    基于SiO2/Si晶片的雙層CVD石墨烯薄膜 將兩層單層CVD石墨烯膜轉移 到285nm p摻雜的SiO 2 / Si晶片上 尺寸:1cmx1cm; 8片 將每個石墨烯膜連續(xù)轉移到晶片上 我們的石墨烯薄膜的厚度和質量由拉曼光譜控制 該產品的石墨烯覆蓋率約為98% 石墨烯薄膜是連續(xù)的,具有小孔和有機殘留物 每個石墨烯薄膜主要是單層(超過95%),偶爾有少量多層(低于5%的雙層) 由于沒有A-B堆疊

    更新時間:2024-06-03
    產品價格:7140.25
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  • 德國2DNext大面積機械剝離2L/3L材料

    德國2D Next主要提供機械剝離的超大尺寸二維材料,可以提供在眾多基底上的轉移技術,如二氧化硅,藍寶石,CVD金剛石等,可用材料包括MoS2,MoSe2,WS2,WSe2等,提供三種尺寸的機械剝離2L/3L材料,分別為50um,75um,100um

    更新時間:2024-06-03
    產品價格:13520
    廠商性質:生產廠家
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  • CVD GaSe

    Chemical vapor deposited (CVD) GaSe films have been synthesized at our facilities in 2019. Bulk GaSe is a 2.0 eV direct semiconductor with exciting second harmonic, optical.

    更新時間:2024-06-03
    產品價格:6481.15
    廠商性質:生產廠家
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  • 超高純 ZrS2粉末(1g)

    超高純 ZrS2粉末(1g) 純度:99.9999% 重量:1g 制備方法:使用再提純后的超高純 單質高真空密封燒結 用途:用于生長制備二維晶體材料

    更新時間:2024-06-03
    產品價格:2000
    廠商性質:生產廠家
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  • 高純 ZrSe2粉末(1g)

    高純 ZrSe2粉末(1g) 純度:99.9995% 重量:1g 制備方法:使用再提純后的超高純單質高真空密封燒結 用途:用于生長制備二維晶體材料

    更新時間:2024-06-03
    產品價格:1000
    廠商性質:生產廠家
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  • 超高純 ZrSe2粉末(1g)

    超高純 ZrSe2粉末(1g) 純度:99.9999% 重量:1g 制備方法:使用再提純后的超高純 單質高真空密封燒結 用途:用于生長制備二維晶體材料

    更新時間:2024-06-03
    產品價格:2000
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